Transistor NPN Epitaxial de Silicio / 27 MHz / 12 Vcc / 13 W / Encapsulado T-30E

Transistor NPN epitaxial de silicio diseñado para aplicaciones de amplificación de señal en radiofrecuencia. Ofrece alta eficiencia energética con operación estable hasta 27 MHz, ideal para equipos de comunicación y transmisores. Su encapsulado T-30E garantiza disipación térmica optimizada, permitiendo manejar 13 watts de potencia de salida de forma confiable. Es compatible como reemplazo directo del modelo 2SC1945, facilitando mantenimiento y actualización de equipos existentes.

Características principales

• Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente
• Frecuencia de operación hasta 27 MHz
• Soporta voltaje máximo de 12 Vcc
• Potencia de salida de 13 watts
• Reemplazo directo para modelo 2SC1945
• Encapsulado T-30E para disipación térmica optimizada

Especificaciones técnicas